特點(diǎn)
金屬封裝;在各種電路中作開關(guān)及放大與振蕩用;
可提供封裝外形有:B2-01B、SMD-1、TO-257型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級,QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3DD5A |
20 |
2
| 70 | 50 |
5 |
-55~175 |
3DD5B | 150 | 100 |
3DD5C | 200 | 150 |
3DD5D | 250
| 200
|
3DD5E | 300
| 250
|
3DD5F | 350
| 300
|
3DD5G | 1.5
| 450
| 400
|
3DD5H | 550
| 500
|
3DD5I | 650
| 600
|
aPtot為TC≤75℃,加散熱片時(shí)的最大額定功率.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 70 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 50 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICEO(3DD5A) | VCE=30V | - | - | 0.5 | mA |
ICEO(3DD5B) | VCE=50V | - | - | 0.5 | mA |
ICEO(3DD5C~I) | VCE=100V | - | - | 0.5 | mA |
hFE(3DD5A~F) | VCE=5V,IC=1A | 15 | - | 120 | - |
hFE(3DD5G~I) | VCE=10V,IC=750mA | 7 | - | 120 | - |
VCE(sat)(3DD5A~F) | IC=1A,IB=100mA | - | - | 1 | V |
VCE(sat)(3DD5G~I) | IC=0.75A,IB=150mA | - | - | 1.5 | V |