3DD5型硅NPN低頻大功率晶體管
3DD5型硅NPN低頻大功率晶體管
市場價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

金屬封裝;在各種電路中作開關(guān)及放大與振蕩用;

可提供封裝外形有:B2-01B、SMD-1、TO-257型。

質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

G、G+級,QZJ840611;


最大額定值


型號

Ptota

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

W

A

V

V

V

3DD5A


20


2

70

50


5


-55~175

3DD5B

150

100

3DD5C200150
3DD5D250
200
3DD5E300
250
3DD5F350
300
3DD5G1.5
450
400
3DD5H550
500
3DD5I650
600

aPtot為TC≤75℃,加散熱片時(shí)的最大額定功率.


電特性

   數(shù)

數(shù)

符號

測試條件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

70

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

50

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

5

-

-

V

ICEO(3DD5A)

VCE=30V

-

-

0.5

mA

ICEO(3DD5B)

VCE=50V

-

-

0.5

mA

ICEO(3DD5C~I)

VCE=100V

-

-

0.5

mA

hFE(3DD5A~F)

VCE=5V,IC=1A

15

-

120

-

hFE(3DD5G~I)

VCE=10V,IC=750mA

7

-

120

-

VCE(sat)(3DD5A~F)

IC=1A,IB=100mA

-

-

1

V

VCE(sat)(3DD5G~I)

IC=0.75A,IB=150mA

-

-

1.5

V


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