特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DG110A、3DG111A |
300 |
1000 |
50
| 20 | 15 |
4 |
-55~175 |
3DG110B、3DG111B | 40
| 30 |
| 3DG110C、3DG111C | 60 | 45 |
| 3DG110D、3DG111D | 20 | 15 |
| 3DG110E、3DG111E | 40
| 30 |
| 3DG110F、3DG111F | 60 | 45 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.67mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.7 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.1 | 0.35 | V |
fT
| 3DG***A~C | VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz | 150 | 200 | - | MHz |
3DG***D~F | 300 | 350 |
Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 3.5 | 5 | pF |
