特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DG112A |
300 |
1000 |
50
| 20 | 15 |
4 |
-55~175 |
3DG112B | 40
| 30 |
| 3DG112C | 20 | 15 |
| 3DG112D | 40 | 30 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照2mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按6.7mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.02 | 0.1 | nA |
ICEO | VCE=10V | - | 0.02 | 0.1 | nA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.1 | nA |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 20 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.7 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.1 | 0.35 | V |
fT
| 3DG112A、B | VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz | 500 | 600 | - | MHz |
3DG112C、D | 700 | 750 |
Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 3.5 | 4 | pF |
