特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DG181A |
700 |
2000 |
200
| 60 | 60 |
5 |
-55~175 |
3DG181B | 100
| 100
|
| 3DG181C | 140 | 140 |
| 3DG181D | 180 | 180 |
| 3DG181E | 220
| 220
|
| 3DG181F | 60 | 60 |
| 3DG181G | 100
| 100
|
| 3DG181H | 140 | 140 |
| 3DG181I | 180 | 180 |
| 3DG181J | 220
| 220
|
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照4.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=30V | - | 0.02 | 1 | μA |
ICEO | VCE=30V | - | 0.02 | 2 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 1 | μA |
hFE | VCE=10V,IC=50mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.7 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.1 | 0.8 | V |
fT
| 3DG181A~E | VCE=10V,IC=20mA,f=30MHz | 50 | 80 | - | MHz |
3DG181F~J | 100 | 150 |
