特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611.
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DG183A |
700 |
2000 |
100
| 250 | 250 |
5 |
-55~175 |
3DG183B | 300
| 300
|
| 3DG183C | 350 | 350 |
| 3DG183D | 400 | 400 |
| 3DG183E | 450
| 450
|
aPtot1為T(mén)A=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照4.67mW/℃線性地降額. bPtot2為T(mén)C=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 250 | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 250
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | V |
ICBO | 3DG183A | VCB=100V | - | 1 | μA |
| 3DG183B、C | VCB=150V |
| 3DG183D、E | VCB=200V |
ICEO | 3DG183A | VCE=100V | - | 1 | μA |
| 3DG183B、C | VCE=150V |
| 3DG183D、E | VCE=200V |
IEBO | VEB=4V | - | 1 | μA |
hFE | VCE=10V,IC=5mA | 20 | 200 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 1.2 | V |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 1 | V |
| fT | VCE=10V,IC=20mA,f=30MHz | 50 | - | MHz |
