3DG183型硅NPN高頻高反壓小功率晶體管
3DG183型硅NPN高頻高反壓小功率晶體管
市場(chǎng)價(jià)： ￥0.0
價(jià)格：
￥1.00
庫存量：
11
購買數(shù)量：
產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；

特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；

可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。

質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

G、G+級(jí)，QZJ840611.


最大額定值


型號(hào)

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

℃

3DG183A



700



2000



100

250

250



5



-55~175

3DG183B

300
300
3DG183C350350
3DG183D400400
3DG183E450
450

aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照4.67mW/℃線性地降額.

bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額.


電特性

參   數(shù)

數(shù)值

單位

符號(hào)

測(cè)試條件

最小值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

250

-

V

VCEO

IC=0.1mA

250

-

V

VEBO

IE=0.1mA

5

-

V

ICBO

3DG183AVCB=100V

-

1

μA

3DG183B、CVCB=150V
3DG183D、E

VCB=200V

ICEO

3DG183AVCE=100V

-

1

μA

3DG183B、CVCE=150V
3DG183D、E

VCE=200V

IEBO

VEB=4V

-

1

μA

hFE

VCE=10V,IC=5mA

20

200

-

VBE(sat)

IC=100mA,IB=10mA

-

1.2

V

VCE(sat)

IC=100mA,IB=10mA

-

1

V

fT

VCE=10V,IC=20mA,f=30MHz

50-MHz
————————
熱線電話
029-85251919