特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
可替代型號(hào)：BC846.
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DG846 | 350 | 100
| 80 | 65 |
6 |
-55~175 |
aPtot為TA=25℃時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2.33mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 80 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 65
|
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 6 | - | - | V |
ICBO | VCB=30V | - | 10 | 15 | nA |
ICEO | VCE=15V | - | 0.2 | 5 | μA |
VBE |
VCE=5V,IC=2mA | 0.58 | - | 0.7 | V |
hFE | VCE=5V,IC=2mA | 55 | - | 450 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=5mA | - | 0.7 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=5mA | - | 0.2 | 0.6 | V |
| fT | VCE=5V,IC=10mA,f=100MHz | 100 | 150 | - | MHz |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 6
| 8 | pF |
