特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
可替代型號(hào)：2N5551.
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DG5551 | 500 | 1000 | 600
| 180 | 160 |
6
|
-55~175 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照3.33mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.67mW/℃線性地降額.
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電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 180 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 160
|
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 6 | - | - | V |
ICBO | VCB=120V | - | 30 | 50 | nA |
IEBO | VEB=4V | - | 30 | 50 | nA |
hFE | VCE=5V,IC=10mA | 80 | - | 250 | - |
| VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.8 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.15 | 0.2 | V |
| fT | VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz | 100 | 200 | 300 | MHz |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 5 | 10 | pF |
