特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
可替代型號(hào)：MMBT8050.
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DG8050 | 300 | 1000 | 500
| 40 | 25 |
5 |
-55~175 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.67mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 25
|
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=40V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=20V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=5V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=1V,IC=50mA | 100 | - | 300 | - |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.4 | 0.6 | V |
| VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 1 | 1.2 | V |
| fT | VCE=6V,IC=20mA,f=30MHz | 150 | 200 | - | MHz |
