特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
可替代型號：2N9013、MMBT9013.
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DG9013 | 500 | 1000 | 500
| 40 | 20 |
5 |
-55~175 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照3.33mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按6.67mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數 | 數值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 20
|
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=25V | - | 50 | 100 | nA |
IEBO | VEB=3V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=1V,IC=50mA | 50 | - | 200 | - |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.3 | 0.6 | V |
| VBE(sat) |
IC=500mA,IB=50mA | - | 1 | 1.2 | V |
