特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關時間?。辉诟鞣N電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，Q/RBJ2200-2004，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK2A |
200 |
1000 |
30
| 20 | 25 |
4 |
-55~175 |
3DK2B | 30
| 25 |
| 3DK2C | 20 | 15 |
| 3DK2D | 30
| 25
|
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照1.33mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按6.7mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=1V,IC=10mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.7 | 0.9 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.2 | 0.3 | V |
| fT | VCE=6V,IC=10mA,f=100MHz | 300
| 350
| -
| MHz |
| ton |
IC=10mA,IB=1mA | -
| 10
| 30
| ns
|
toff | 3DK2A |
IC=10mA,IB=1mA | -
| 45
| 60
| ns |
3DK2B | 30 | 40
|
| 3DK2C | 20
| 30
|
| 3DK2D | 20 | 30
|
