特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時(shí)間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，Q/RBJ2200-2004，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK7A |
300 |
1000 |
50
| 20 | 15 |
5 |
-55~175 |
3DK7B | 40
| 30 |
| 3DK7C | 60 | 45 |
| 3DK7D | 20 | 15
|
| 3DK7E | 40
| 30 |
| 3DK7F | 60 | 45 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.7mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=1V,IC=10mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.7 | 0.9 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.2 | 0.3 | V |
| fT | VCE=6V,IC=10mA,f=100MHz | 150
| 200
| -
| MHz |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | -
| 3
| 3.5
| pF
|
| ton |
IC=10mA,IB=1mA | -
| 20
| 45
| ns
|
toff | 3DK7A~C |
IC=10mA,IB=1mA | -
| 80
| 100
| ns |
3DK7D~F | 40 | 50
|
