3DK8 型硅NPN高頻小功率開關(guān)晶體管
3DK8 型硅NPN高頻小功率開關(guān)晶體管
市場價(jià)： ￥0.0
價(jià)格：
￥1.00
庫存量：
11
購買數(shù)量：
產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；

開關(guān)時(shí)間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；

可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。

質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

G、G+級，Q/RBJ2201-2004，QZJ840611;


最大額定值


型號

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

℃

3DG8

500

2000

600

40

30

5

-55~175

aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照3.33mW/℃線性地降額.

bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額.


電特性

參   數(shù)

數(shù)值

單位

符號

測試條件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

40

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

30

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

5

-

-

V

ICBO

VCB=10V

-

0.02

0.2

μA

ICEO

VCE=10V

-

0.02

0.5

μA

IEBO

VEB=4V

-

0.02

0.2

μA

hFE

VCE=1V,IC=50mA

25

-

180

-

VBE(sat)

IC=50mA,IB=5mA

-

0.7

1

V

VCE(sat)

IC=50mA,IB=5mA

-

0.1

0.4

V

fT

VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz

150
200
-
MHz
Cob

VCB=10V,IE=0,f=1MHz

-
7
10
pF
ton

IC=100mA,IB=10mA

-
20
40
ns

toff

3DK8A

IC=100mA,IB=10mA

-
250
280

ns

3DK8B150
170

3DK8C

90

110
————————
熱線電話
029-85251919