特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開關時間小；在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，Q/RBJ2201-2004，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK9A |
700 |
2000 |
800
| 25 | 20 |
5 |
-55~175 |
3DK9B | 50
| 35 |
| 3DK9C | 75 | 60 |
| 3DK9D | 100 | 80
|
| 3DK9E | 25 | 20 |
| 3DK9F | 50
| 35 |
| 3DK9G | 75 | 60 |
| 3DK9H | 100 | 80
|
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照4.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 25 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 20 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=15V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
ICEO | VCE=15V | - | 0.02 | 1 | μA |
IEBO | VEB=4V | - | 0.02 | 1 | μA |
hFE | VCE=5V,IC=100mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=300mA,IB=30mA | - | 0.7 | 1.2 | V |
VCE(sat) | IC=300mA,IB=30mA | - | 0.1 | 0.5 | V |
| fT | VCE=10V,IC=60mA,f=100MHz | 120
| 150
| -
| MHz |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | -
| 7
| 15
| pF
|
| ton | 3DK9A~D | IC=300mA,IB=30mA | -
| 50
| 100
| ns |
3DK9E~H | 40
| 80
|
toff | 3DK9A~D |
IC=300mA,IB=30mA | -
| 160
| 180
| ns |
3DK9E~H | 150 | 170
|
