特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開(kāi)關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK10A |
1500 |
2000 |
1500
| 25 | 20 |
5 |
-55~175 |
3DK10B | 50
| 35 |
| 3DK10C | 75 | 60 |
| 3DK10D | 100 | 80
|
| 3DK10E | 25 | 20 |
| 3DK10F | 50
| 35 |
| 3DK10G | 75 | 60 |
| 3DK10H | 100 | 80
|
aPtot1為T(mén)A=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照4.67mW/℃線性地降額. bPtot2為T(mén)C=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
ICBO | VCB=15V | - | 0.2 | 1 | μA |
ICEO | VCE=15V | - | 0.2 | 5 | μA |
IEBO | VEB=4V | - | 0.2 | 5 | μA |
hFE | VCE=5V,IC=200mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=600mA,IB=60mA | - | 0.7 | 1.2 | V |
VCE(sat) | IC=600mA,IB=60mA | - | 0.1 | 0.6 | V |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | -
| 15
| 25
| pF
|
| fT | 3DK10A~D | VCE=10V,IC=100mA,f=30MHz | 100
| 130
| - | MHz |
3DK10E~H | 120
| 150
|
| ton | 3DK10A~D | IC=500mA,IB=50mA | -
| 50
| 100
| ns |
3DK10E~H | 40
| 80
|
toff | 3DK10A~D |
IC=500mA,IB=50mA | -
| 160
| 180
| ns |
3DK10E~H | 150 | 170
|
