特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開關時間小；在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK14A |
1000 |
2000 |
1000
| 50 | 40 |
4 |
-55~175 |
3DK14B | 60
| 50 |
| 3DK14C | 70 | 60 |
| 3DK14D | 50 | 40 |
| 3DK14E | 60
| 50 |
| 3DK14F | 70 | 60 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照6.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數 | 數值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 50 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=20V | - | 0.2 | 0.5 | μA |
ICEO | VCE=20V | - | 0.2 | 1 | μA |
IEBO | VEB=4V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=1V,IC=500mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.8 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.2 | 0.5 | V |
| fT | VCE=10V,IC=100mA,f=30MHz | 150
| 180
| -
| MHz |
| ton | IC=500mA,IB=50mA | -
| 20
| 40
| ns |
toff | 3DK14A~C |
IC=500mA,IB=50mA | -
| 250
| 280
| ns |
3DK14D~F | 150 | 180
|
