特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開關(guān)速度快；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK023F | 1000 | 2000 | 1000
| 250 | 200 |
6 |
-55~150 |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 250 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 200
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 6
| - | - | V |
ICBO | VCB=250V | - | 1
| 100 | μA |
| ICEO | VCE=140V | -
| 10
| 1000
| μA |
IEBO | VEB=3V | - | 1 | 100 | μA |
hFE | VCE=5V,IC=500mA | 25 | - | 180 | - |
VCE(sat) | IC=750mA,IB=75mA | - | 1 | 1.2 | V |
| VBE(sat) | IC=750mA,IB=75mA | - | 0.3 | 0.5 | V |
ton
| IC=1A,IB=100A | - | 0.1
| 0.6
| μs |
toff
| IC=1A,IB=100A | - | 0.5
| 0.6
| μs |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 120 | 200 | pF |
