3DK28型硅NPN高頻小功率開關(guān)晶體管
3DK28型硅NPN高頻小功率開關(guān)晶體管
市場(chǎng)價(jià)： ￥0.0
價(jià)格：
￥1.00
庫存量：
11
購買數(shù)量：
產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；

特征頻率高；開關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；

可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。

質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

G、G+級(jí)，QZJ840611;


最大額定值

型號(hào)

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

℃

3DK28A


300


1000


50

35

25


4


-55~175

3DK28B

20

15

3DK28C

20

15

aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2mW/℃線性地降額.

bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.7mW/℃線性地降額.


電特性

參   數(shù)

數(shù)值

單位

符號(hào)

測(cè)試條件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

35

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

25

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

4

-

-

V

ICBO

VCB=10V

-

0.03

0.1

μA

ICEO

VCE=10V

-

0.03

0.1

μA

IEBO

VEB=4V

-

0.03

0.1

μA

hFE

VCE=1V,IC=30mA

25

-

180

-

VBE(sat)

IC=30mA,IB=3mA

-

0.7

0.9

V

VCE(sat)

IC=30mA,IB=3mA

-

0.2

0.3

V

fT

VCE=10V,IC=20mA,f=100MHz

500
650
-
MHz
ton

IC=30mA,IB=3mA

-
10
20
ns

toff

3DK28A

IC=30mA,IB=3mA

-
25
30

ns

3DK28B20
25

3DK28C

15

20
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熱線電話
029-85251919