3DK100型硅NPN高頻小功率開(kāi)關(guān)晶體管
3DK100型硅NPN高頻小功率開(kāi)關(guān)晶體管
市場(chǎng)價(jià)： ￥0.0
價(jià)格：
￥1.00
庫(kù)存量：
10
購(gòu)買數(shù)量：
產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；

特征頻率高；開(kāi)關(guān)時(shí)間?。辉诟鞣N電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；

可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。

質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

G、G+級(jí)，QZJ840611;


最大額定值

型號(hào)

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

℃

3DK100A


100


1000


30

20

15


4


-55~175

3DK100B

20

15

3DK100C

15

10

aPtot1為T(mén)A=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照0.67mW/℃線性地降額.

bPtot2為T(mén)C=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.7mW/℃線性地降額.


電特性

參   數(shù)

數(shù)值

單位

符號(hào)

測(cè)試條件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

15

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

10

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

4

-

-

V

ICBO

VCB=6V

-

0.02

0.1

μA

ICEO

VCE=6V

-

0.02

0.1

μA

IEBO

VEB=4V

-

0.02

0.1

μA

hFE

VCE=1V,IC=10mA

25

-

180

-

VBE(sat)

IC=10mA,IB=1mA

-

0.7

0.9

V

VCE(sat)

IC=10mA,IB=1mA

-

0.2

0.3

V

fT

VCE=6V,IC=3mA,f=100MHz

300
350
-
MHz
ton

IC=10mA,IB=1mA

-
10
20
ns

toff

3DK100A

IC=10mA,IB=1mA

-
25
35

ns

3DK100B、C20
25
————————
熱線電話
029-85251919