特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK104A |
700 |
2000 |
400
| 75 | 60 |
5 |
-55~175 |
3DK104B | 100
| 80 |
| 3DK104C | 75 | 60 |
| 3DK104D | 100 | 80
|
| 3DK104E | 160 | 150 |
| 3DK104F | 210
| 200 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照4.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
ICBO | VCB=30V | - | 0.2 | 1 | μA |
ICEO | VCE=30V | - | 0.2 | 1 | μA |
IEBO | VEB=4V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=3V,IC=200mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=300mA,IB=30mA | - | 0.8 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=300mA,IB=30mA | - | 0.3 | 0.5 | V |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | -
| 8
| 15
| pF
|
| fT | 3DK104A~D | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 150
| 200
| - | MHz |
3DK104E、F | VCE=10V,IC=50mA,f=10MHz | 30
| 70
|
| ton | 3DK104A、B |
IC=300mA,IB=30mA | -
| 50
| 100
| ns |
3DK104C、D | 30
| 50
|
| 3DK104E、F | 250
| 300
|
toff | 3DK104A、B |
C=300mA,IB=30mA | -
| 200
| 230
| ns |
3DK104C、D | 110
| 130
|
| 3DK104E、F | 500
| 600
|
