特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK105A |
700 |
2000 |
500
| 40 | 30 |
4 |
-55~175 |
3DK105B | 60
| 45 |
| 3DK105C | 40 | 30 |
| 3DK105D | 60 | 45
|
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照4.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=20V | - | 0.2 | 0.5 | μA |
ICEO | VCE=20V | - | 0.2 | 1 | μA |
IEBO | VEB=4V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=1V,IC=300mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.8 | 1.2 | V |
VCE(sat) |
IC=500mA,IB=50mA | - | 0.2 | 0.5 | V |
| fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 150
| 200
| -
| MHz |
Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 7
| 10
| pF
|
| ton |
IC=500mA,IB=50mA | -
| 15
| 25
| ns
|
toff | 3DK105A、B |
IC=500mA,IB=50mA | -
| 230
| 280
| ns |
| 3DK105D、C | 110
| 130
|
