3DK106型硅NPN高頻小功率開關(guān)晶體管
3DK106型硅NPN高頻小功率開關(guān)晶體管
市場(chǎng)價(jià)： ￥0.0
價(jià)格：
￥1.00
庫(kù)存量：
11
購(gòu)買數(shù)量：
產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；

開關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；

可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。

質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

G、G+級(jí)，QZJ840611;


最大額定值


型號(hào)

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

℃

3DK106A


700


2000


600

40

30


4


-55~175

3DK106B

60

45

3DK106C

40

30

3DK106D

60

45

aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照4.67mW/℃線性地降額.

bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額.


電特性

參   數(shù)

數(shù)值

單位

符號(hào)

測(cè)試條件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

40

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

30

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

4

-

-

V

ICBO

VCB=20V

-

0.2

0.5

μA

ICEO

VCE=20V

-

0.2

1

μA

IEBO

VEB=4V

-

0.2

1

μA

hFE

VCE=1V,IC=500mA

25

-

180

-

VBE(sat)

IC=500mA,IB=50mA

-

0.8

1.2

V

VCE(sat)

IC=500mA,IB=50mA

-

0.2

0.5

V

fT

VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz

150
200
-
MHz
ton

IC=500mA,IB=50mA

-
15
30
ns

toff

3DK106A、B

IC=500mA,IB=50mA

-
230
280

ns

3DK106D、C110
130
————————
熱線電話
029-85251919