特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開關(guān)時間小；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK2219A | 800 | 2000 | 800
| 75 | 40 |
6 |
-55~175 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照5.33mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 75 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 40
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 6
| - | - | V |
ICBO | VCB=60V | - | 5
| 10 | nA |
| ICEO | VCE=15V | -
| 0.2
| 5
| μA |
IEBO | VEB=3V | - | 5 | 10 | nA |
hFE | VCE=1V,IC=150mA | 30 | - | - | - |
VCE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | 0.8 | 1.2 | V |
| VBE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | 0.3 | 0.5 | V |
fT
| VCE=20V,IC=20mA,f=100MHz | 300
| 350
| -
| MHz |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 8 | 10 | pF |
ton
|
IC=150mA,IB=15mA | - | 25
| 35
| ns |
toff
|
IC=150mA,IB=15mA | - | 230
| 250
| ns |
