特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、UB型。
替代國外型號：2N2222,2N2222A
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，Q/RBJ2202-2004,QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3DK2222 | 500 | 1000 | 800
| 60 | 30 |
4 |
-55~175 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照3.33mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.7mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 30
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4
| - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.02
| 1 | μA |
| ICEO | VCE=10V | -
| 0.02
| 2
| μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 1 | μA |
hFE | VCE=5V,IC=150mA | 100 | - | 250 | - |
VCE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | 0.8 | 1.2 | V |
| VBE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | 0.2 | 0.5 | V |
fT
| VCE=20V,IC=20mA,f=100MHz | 250
| 300
| -
| MHz |
ton
| IC=100mA,IB=10mA | - | 20
| 40
| ns |
toff
|
IC=100mA,IB=10mA | - | 220
| 250
| ns |
