特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時(shí)間小；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用2個(gè)芯片，芯片間相互獨(dú)立，可單獨(dú)使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：A6-02A型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，Q/RBJ9204-2006，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1/Ptot2 |
ICM1/ICM2 | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
2C1 | 300/200 | 200/50 | -35 | -30 |
-4 |
-55~150 |
注：Ptot1/Ptot2、ICM1/ICM2為兩個(gè)管芯的參數(shù)值，其余參數(shù)為單管芯的參數(shù)值 |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -35 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4
| - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 1
| 5 | μA |
| ICEO | VCB=-10V | - | 2
| 10 | μA |
| IEBO | VCB=-2V | - | 2
| 5 | μA |
hFE1/hFE2 | VCE1=-1V,IC1=50mA(PNP1)
VCE2=-1V,IC2=10mA(PNP2) | 20 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.8 | -0.9 | V |
| VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.15 | -0.4 | V |
fT
| VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 120
| 150
| -
| MHz |
ton1/ton2
| IC1=100mA,IB1=10mA(PNP1)
IC2=10mA,IB2=1mA(PNP2) | - | 20
| 60
| ns |
| toff1/toff2 | - | 80
| 100
| ns |
| 注：hFE1/hFE2、ton1/ton2、toff1/toff2為兩個(gè)管芯的參數(shù)值，其余參數(shù)為單管芯的參數(shù)值。 |
