特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開(kāi)關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用2個(gè)芯片，芯片間相互獨(dú)立，可單獨(dú)使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：A6-02A型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，Q/RBJ9205-2006，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1/Ptot2 |
ICM1/ICM2 | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
2D1 | 300/200 | 200/50 | 60 | 45 |
4 |
-55~150 |
注：Ptot1/Ptot2、ICM1/ICM2為兩個(gè)管芯的參數(shù)值，其余參數(shù)為單管芯的參數(shù)值 |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 45
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4
| - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 1
| 5 | μA |
| ICEO | VCE=10V | -
| 2
| 10
| μA |
IEBO | VEB=2V | - | 2 | 5 | μA |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 20 | - | 150 | - |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.6 | 0.9 | V |
| VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.1 | 0.4 | V |
fT
| VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 120
| 150
| -
| MHz |
ton
| IC=100mA,IB=10mA | - | 20
| 60
| ns |
| toff |
IC=100mA,IB=10mA | - | 250
| 300
| ns |
注：表中參數(shù)為每個(gè)單管的電特性。
|
