特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關時間?。辉诟鞣N電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
采用2個芯片，芯片間相互獨立，可單獨使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：A6-02A型。
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | Ptot3c | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
2N4854 | 300*2 | 500*2 | 1000*2 | 300
| 60 | 40 |
5 |
-55~150 |
aPtot1是指TA=25℃時的最大額定功率；TA＞25℃時，單管按照2.4mW/℃線性地降額、雙管按照4.8mW/℃線性地降額. bPtot2是指TA=25℃加散熱帽時的最大額定功率；TA＞25℃時，單管按照4mW/℃線性地降額、雙管按照8mW/℃線性地降額. cPtot2是指TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，單管按照8mW/℃線性地降額、雙管按照16mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 40
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5
| - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 10
| 50 | nA |
| ICEO | VCE=10V | -
| 20
| 100
| nA |
IEBO | VEB=3V | - | 5 | 10 | nA |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 40 | - | 150 | - |
| 兩管|△hFE/hFE(較大)| | VCE=10V,IC=10mA | -
| -
| 10%
| -
|
VBE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | 0.7 | 0.9 | V |
| VCE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | 0.1 | 0.4 | V |
fT
| VCE=10V,IC=20mA,f=30MHz | 120
| 150
| -
| MHz |
ton
| IC=150mA,IB=15mA | - | 30
| 60
| ns |
toff
|
IC=150mA,IB=15mA | - | 250
| 300
| ns |
| a除|△hFE/hFE(較大)|外，本表中參數(shù)為每個單管的電特性！ |
