2N4854V型硅PNP/NPN高頻小功率開關(guān)晶體管對管
2N4854V型硅PNP/NPN高頻小功率開關(guān)晶體管對管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

金屬或金屬陶瓷封裝;體積小,重量輕;

特征頻率高;開關(guān)時間??;在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用;

采用2個芯片,芯片間相互獨立,可單獨使用,可根據(jù)需要采用不同芯片;

可提供封裝外形有:A6-02A型。

質(zhì)量等級及執(zhí)行標準

G、G+級,QZJ840611;


JP、JT、JCT級,Q/RBJ21025-2005,GJB33A-1997.


最大額定值


型號

Ptot1a

Ptot2b

Ptot3c

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mW

mA

V

V

V

2N4854v

300*2

500*2

1000*2

500

75

70

4

-55~150

aPtot1TA=25℃時的最大額定功率;TA>25℃時,單管按照2.4mW/℃線性地降額、雙管按照4.8mW/℃線性地降額.

bPtot2TA=25℃加散熱帽時的最大額定功率;TA>25℃時,單管按照4mW/℃線性地降額、雙管按照8mW/℃線性地降額.

cPtot2是指TC=25℃時的最大額定功率;TC>25℃時,單管按照8mW/℃線性地降額、雙管按照16mW/℃線性地降額.


電特性

   數(shù)

數(shù)

符號

測試條件

最小值

典型值

最大值

VCEO

IC=0.1mA

70

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

4

-

-

V

ICBO

VCB=10V

-

1

5

μA

ICEOVCE=10V-
2
10
μA

IEBO

VEB=2V

-

2

10

μA

hFE

VCE=10V,IC=10mA

40

-

150

-

兩管|△hFE/hFE(較大)|

VCE=10V,IC=10mA

-
-
10%
-

VBE(sat)

IC=150mA,IB=15mA

-

0.7

0.9

V

VCE(sat)

IC=150mA,IB=15mA

-

0.1

0.4

V

fT

VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz

120
150
-
MHz
ton

IC=500mA,IB=50mA

-

30
60
ns
toff

IC=500mA,IB=50mA

-

250
300
ns
a|△hFE/hFE(較大)|外,本表中參數(shù)為每個單管的電特性!


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029-85251919