特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時(shí)間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用4個芯片，芯片間相互獨(dú)立，可單獨(dú)使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：DIP-14型雙列直插陶瓷封裝。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
4C120KA |
500*4 |
200
| -25 | -20 |
-4 |
-55~150 |
| 4C120KB | -35
| -30
|
| 4C120KC | -50
| -45
|
aTA=25℃,四個芯片同時(shí)工作時(shí)功率Ptot不大于800mW；單芯片工作時(shí)功率Ptot不大于500mW. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -25
| -
| - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -20
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4
| - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02
| 0.5 | μA |
| ICEO | VCE=-10V | -
| 0.02 | 0.5 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=50mA | 40 | - | 150 | - |
| 四管|△hFE/hFE(較大)|a |
VCE=-1V,IC=50mA | -
| -
| 12%
| -
|
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.8 | -1.2 | V |
| VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.1 | -0.5 | V |
fT
| VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 100
| 200
| -
| MHz |
ton
| IC=100mA,IB=10mA | - | 20
| 50
| ns |
toff
|
IC=100mA,IB=10mA | - | 90
| 110
| ns |
| a除|△hFE/hFE(較大)|外，本表中參數(shù)為每個單管的電特性！ |
