特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用4個(gè)芯片，芯片間相互獨(dú)立，可單獨(dú)使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：DIP-14型雙列直插陶瓷封裝。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
4D110A |
300*4 |
50
| 25 | 20 |
4 |
-55~150 |
| 4D110B | 35
| 30
|
| 4D110C | 50
| 45
|
aTA=25℃,四個(gè)芯片同時(shí)工作時(shí)功率Ptot不大于800mW；單芯片工作時(shí)功率Ptot不大于300mW. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 25
| -
| - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 20
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4
| - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 5
| 10 | nA |
| ICEO | VCE=10V | -
| 20 | 100 | nA |
IEBO | VEB=2V | - | 20 | 100 | nA |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 40 | - | 150 | - |
| 四管|△hFE/hFE(較大)| |
VCE=10V,IC=10mA | -
| -
| 12%
| -
|
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | 0.7 | 1 | V |
| VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | 0.1 | 0.3 | V |
fT
| VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz | 200
| 250
| -
| MHz |
| a除|△hFE/hFE(較大)|外，本表中參數(shù)為每個(gè)單管的電特性！ |
