特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用4個芯片，芯片間相互獨立，可單獨使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：DIP-14型雙列直插陶瓷封裝。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
4D5713 | 300*4 | 500
| 75 | 70 |
5 |
-55~150 |
aPtot是指TC=75℃時單芯工作時的功率為400mW. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 75
| -
| - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 70
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5
| - | - | V |
ICBO | VCB=30V | - | 0.02
| 0.05 | μA |
| ICEO | VCE=30V | -
| 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=2V,IC=100mA | 40 | - | 150 | - |
| 四管|△hFE/hFE(較大)|a |
VCE=2V,IC=100mA | -
| -
| 12%
| -
|
VBE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | 0.9 | 1.2 | V |
| VCE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | 0.2 | 0.5 | V |
fT
| VCE=10V,IC=10mA,f=30MHz | 120
| 150
| -
| MHz |
| a除|△hFE/hFE(較大)|外，本表中參數(shù)為每個單管的電特性！ |
