特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用2個(gè)芯片，芯片間相互獨(dú)立，可單獨(dú)使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：A6-02A型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1/Ptot2 |
ICM1/ICM2 | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
FH2920(2N2920) | 300/300 | 200/50 | 60 | 60 |
6 |
-55~175 |
注：Ptot1/Ptot2、ICM1/ICM2為兩個(gè)管芯的參數(shù)值，其余參數(shù)為單管芯的參數(shù)值. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 60
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 6
| - | - | V |
ICBO | VCB=45V | - | 2
| 10 | nA |
| ICEO | VCE=5V | -
| 2
| 10
| nA |
IEBO | VEB=5V | - | 2 | 10 | nA |
hFE | VCE=5V,IC=1mA | 50 | - | - | - |
VBE |
VCE=5V,IC=0.1mA | - | 0.5 | 0.7 | V |
| VCE(sat) | IC=1mA,IB=0.1mA | - | 0.2 | 0.35 | V |
fT
| VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 100
| 150
| -
| MHz |
注：表中參數(shù)為每個(gè)單管的電特性。
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