特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用2個芯片，芯片間相互獨立，可單獨使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：A6-02A型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
FH3350 | 300*2 | 100
| -60 | -45 |
-6 |
-55~150 |
aPtot是指TA=25℃時的最大額定功率；TA＞25℃時，單管按照2.4mW/℃線性地降額、雙管按照4.8mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -45
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -6
| - | - | V |
ICBO | VCB=-30V | - | 5
| 10 | nA |
| ICEO | VCE=-30V | -
| 20
| 100
| nA |
IEBO | VEB=-3V | - | 20 | 100 | nA |
hFE | VCE=-5V,IC=1mA | 20 | - | 150 | - |
| 兩管|△hFE/hFE(較大)| | VCE=-5V,IC=1mA | -
| -
| 10%
| -
|
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.7 | -0.9 | V |
| VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.1 | -0.3 | V |
fT
| VCE=-10V,IC=5mA,f=30MHz | 60
| 150
| -
| MHz |
Cob
|
VCB=-10V,IC=0,f=1MHz | - | 3.5
| 6
| pF |
| a除|△hFE/hFE(較大)|外，本表中參數(shù)為每個單管的電特性！ |
