特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用2個芯片，芯片間相互獨立，可單獨使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：D08S2型8引腳直插陶瓷雙列封裝。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
JP、JT、JCT級，Q/RBJ21034-2007,GJB33A-1997
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
FH3/4K | 700*2 | 200
| 50 | 45 |
4 |
-55~150 |
aPtot為700mW是指TA=25℃時一個芯片工作另一個芯片不工作時的功率；兩個芯片同時工作時，每個芯片功率為350mW. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 50
| -
| - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 45
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4
| - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.05
| 0.1 | μA |
| ICEO | VCE=10V | -
| 0.05 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=15V,IC=60mA | 40 | - | 150 | - |
| 兩管|△hFE/hFE(較大)|a |
VCE=15V,IC=60mA | -
| -
| 10%
| -
|
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.8 | 1 | V |
| VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.1 | 0.5 | V |
fT
| VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 120
| 150
| -
| MHz |
| a除|△hFE/hFE(較大)|外，本表中參數(shù)為每個單管的電特性！ |
