特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
采用2個芯片，芯片間相互獨立，可單獨使用，可根據(jù)需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：A6-02A型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota |
ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
FH3810(2N3810) | 200/350 | 50 | -60 | -60 |
-5 |
-65~200 |
aPtot為TA=25℃時，不加散熱片時的最大額定功率，單芯片為200mW、雙芯片為350mW. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCEO | IC=0.1mA | -60
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5
| - | - | V |
ICBO1 | VCB=-60V | - | 2
| 10 | μA |
| ICBO2 | VCB=-50V | -
| 4
| 10
| nA |
| IEBO1 | VEB=-5V | - | 2 | 10 | μA |
IEBO2 | VEB=-4V | - | 4 | 10 | nA |
hFE | VCE=-5V,IC=1mA | 150 | - | 450 | - |
| 兩管hFE1/hFE2a | VCE=-5V,IC=1mA | 0.9
| -
| 1.1
| -
|
VBE(sat) |
IC=1mA,IB=0.1mA | - | -0.7 | -0.8 | V |
| VCE(sat) | IC=1mA,IB=0.1mA | - | -0.2 | -0.25 | V |
| 兩管hFE1/hFE2a為兩個單管hFE的比值，除本參數(shù)外，本表中其余參數(shù)均為每個單管的電特性。 |
