特性
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
采用2個芯片，芯片間相互獨立，可單獨使用，可根據需要采用不同芯片；
可提供封裝外形有：8引腳陶瓷扁平封裝。
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，Q/RBJ9203-2006,QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
LY100S-2 | PNP管芯
| 700 | 700
| -65 | -60 |
-5 |
-55~150 |
| NPN管芯 | 700 | 700
| 150
| 150
| 5
|
aPtot是指TA=25℃時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照5.6mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數 | 數值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 65
| -
| - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 60
| -
| - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5
| - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.2
| 0.5 | μA |
| ICEO | VCE=10V | -
| 0.2 | 1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=10V,IC=50mA | 40 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.8 | 1 | V |
| VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.2 | 0.5 | V |
fT
| VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 100
| 150
| -
| MHz |
| 注：本表中參數為每個單管的電特性！ |
