LYNM024型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
LYNM024型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
市場價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5、LCC-18);金屬封裝(A3-02B).

開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號(hào):IRL5Y024CM、IRL5NJ024、IRFE024、IRFF024.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時(shí)間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式

TO-257

SMD-0.5

LCC-18

A3-02B

單位

額定功率PD

35

35

14

20

W
漏源擊穿電壓BVDSS
55
55
55
55
V
導(dǎo)通電阻RDS
0.069
0.06
0.15
0.15
Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
17
17
6.7
8
A
漏極電流IDM2(TC=100℃)11
11
4.2
4.2
A
熱阻Rthjc
3.573.579.1
6.25
℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號(hào)

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值


導(dǎo)通電阻

   

   RDS(ON)


VGS=10V,ID=IDM2

-
-

0.069(1)


Ω

-
-

0.06(2)

-

-

0.15(3)

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=0.25mA
55
60
-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=0.25mA1
-
2
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=BVDSS,VGS=0-
-
25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=16V(1)(2)

-

-

100

nA

VGS=20V(3)

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-16V(1)(2)

-

-

-100

nA

VGS=-20V(3)
電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
520(1)-
pF
514(2)
640(3)
注:(1)TO-257型封裝 (2)SMD-0.5型封裝 (3)LCC-18、A3-02B型封裝.


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