特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5);金屬封裝(B2-01C).
開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。
替代國(guó)外型號(hào):IRL5NJZ034、IRF034.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時(shí)間不超過10秒。
參數(shù)名稱|封裝形式 | SMD-0.5 | B2-01C | TO-257 | 單位 |
額定功率PD
| 40 | 75 | 40 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| 55
| 55
| 55
| V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.04
| 0.05
| 0.04
| Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| 22
| 25
| 22
| A
|
漏極電流IDM2(TC=100℃) | 16
| 16
| 16
| A
|
熱阻Rthjc
| 3.13 | 1.67
| 3.13
| ℃/W |
主要電特性
參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2
| -
| -
| 0.04(1) | Ω |
-
| -
| 0.05(2) |
漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=0.25mA
| 55
| 63
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=0.25mA | 2
| 2.7
| 4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=BVDSS,VGS=0 | -
| 1
| 25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=20V | -
| 2
| 100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=-20V | -
| -2
| -100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 695(1) | -
| pF
|
1300(2) |
注:(1)SMD-0.5、TO-257型封裝 (2)B2-01C型封裝. |