特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5);
開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。
替代國外型號:IRF5YJZ48CM、IRF5NJZ48.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。
參數(shù)名稱|封裝形式 | SMD-0.5 | TO-257 | 單位 |
額定功率PD
| 75 | 75 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| 55
| 55
| V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.016
| 0.026
| Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| 22
| 18
| A
|
漏極電流IDM2(TC=100℃) | 22
| 18
| A
|
熱阻Rthjc
| 1.67 | 1.67
| ℃/W |
主要電特性
參數(shù)名稱 | 符號 | 測試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2
| -
| -
| 0.026(1) | Ω |
-
| -
| 0.016(2) |
漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=0.25mA
| 55
| -
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=0.25mA | 2
| -
| 4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=BVDSS,VGS=0 | -
| -
| 25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=20V | -
| -
| 100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=-20V | -
| -
| -100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 1900 | -
| pF
|
注:(1)TO-257型封裝 (2)SMD-0.5型封裝. |