特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5、LCC-18);金屬封裝(A3-02B).
開關(guān)速度快、損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬，溫度穩(wěn)定性好。
替代國外型號(hào)：IRFE110、IRFF110.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃;工作溫度Tamb：-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃，焊接時(shí)間不超過10秒。
| 參數(shù)名稱|封裝形式 | TO-257 | SMD-0.5 | LCC-18 | A3-02B | 單位 |
額定功率PD
| 15 | 15 | 15 | 15 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| 100
| 100
| 100
| 100
| V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.6
| 0.6
| 0.6
| 0.6
| Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| 3.5
| 3.5
| 3.5
| 3.5
| A
|
| 漏極電流IDM2(TC=100℃) | 2.25
| 2.25
| 2.25
| 2.25
| A
|
熱阻Rthjc
| 8.3 | 8.3 | 8.3 | 8.3 | ℃/W |
主要電特性
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2
| -
| -
| 0.6 | Ω |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=1mA
| 100
| -
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=0.25mA | 2
| -
| 4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=0.8BVDSS,VGS=0V | -
| -
| 25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=20V | -
| -
| 100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=-20V | -
| -
| -100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 190(1) | -
| pF
|
| 180(2) |
| 注：(1)LCC-18、SMD-0.5型封裝 (2)TO-257、A3-02B型封裝. |
