特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(LCC-18、SMD-0.5);金屬封裝(A3-02B、B2-01C).
開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。
替代國外型號:IRFE120、IRF120、IRFF120;
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。
參數(shù)名稱|封裝形式 | LCC-18 | B2-01C | A3-02B | TO-257 | SMD-0.5 | 單位 |
額定功率PD
| 14
| 60 | 20 | 20 | 14
| W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| 100
| 100 | 100 | 100 | 100
| V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.3
| 0.27
| 0.3
| 0.3
| 0.3
| Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| 4.5
| 9.2
| 6
| 6
| 4.5
| A
|
漏極電流IDM2(TC=100℃) | 2.8
| 6.5
| 3.5
| 3.5
| 2.8
| A
|
熱阻Rthjc
| 8.93
| 2.5 | 6.25
| 6.25
| 8.93
| ℃/W |
主要電特性
參數(shù)名稱 | 符號 | 測試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2
| -
| -
| 0.3(1) |
Ω |
VGS=10V,ID=5.6A | -
| -
| 0.27(2) |
漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=1mA
| 100
| -
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=0.25mA | 2
| -
| 4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=0.8BVDSS,VGS=0 | -
| -
| 25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=20V | -
| -
| 100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=-20V | -
| -
| -100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 350 | -
| pF
|
注:(1)TO-257、LCC-18、SMD-0.5、A3-02B型封裝 (2)B2-01C型封裝. |