LYNM150型大功率N溝道MOS場效應晶體管
LYNM150型大功率N溝道MOS場效應晶體管
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產品詳情

特性

執(zhí)行標準:QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1);金屬封裝(B2-01C).

開關速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:IRFM150、IRFN150、IRF150;


極限參數

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數名稱|封裝形式TO-254

SMD-1

B2-01C

單位

額定功率PD
150
150
150
W
漏源擊穿電壓BVDSS
100
100
100
V
導通電阻RDS
0.09
0.07
0.055
Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
34
34
38
A
漏極電流IDM2(TC=100℃)21
21
24
A
熱阻Rthjc
0.83
0.83
0.83
℃/W


主要電特性

參數名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值


導通電阻

      

RDS(ON)


VGS=10V,ID=IDM2


-


0.035

0.09(1)


Ω

0.07(2)

0.055(3)

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=1mA
100
110
-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=0.25mA2
2.9
4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0-
5
25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=20V

-

15

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-20V

-

-15

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
3700-
pF
注:(1)TO-254型封裝 (2)SMD-1型封裝(3B2-01C型封裝.
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