特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1);金屬封裝(B2-01C).
開關(guān)速度快、損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬，溫度穩(wěn)定性好。
替代國外型號(hào)：IRFM150、IRFN150、IRF150；
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃;工作溫度Tamb：-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃，焊接時(shí)間不超過10秒。
| 參數(shù)名稱|封裝形式 | TO-254 | SMD-1 | B2-01C | 單位 |
額定功率PD
| 150
| 150
| 150
| W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| 100
| 100
| 100
| V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.09
| 0.07
| 0.055
| Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| 34
| 34
| 38
| A
|
| 漏極電流IDM2(TC=100℃) | 21
| 21
| 24
| A
|
熱阻Rthjc
| 0.83
| 0.83
| 0.83
| ℃/W |
主要電特性
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 |
RDS(ON) |
VGS=10V,ID=IDM2
|
-
|
0.035
| 0.09(1) |
Ω |
0.07(2) |
0.055(3) |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=1mA
| 100
| 110
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=0.25mA | 2
| 2.9
| 4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=0.8BVDSS,VGS=0 | -
| 5
| 25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=20V | -
| 15
| 100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=-20V | -
| -15
| -100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 3700 | -
| pF
|
| 注：(1)TO-254型封裝 (2)SMD-1型封裝（3）B2-01C型封裝. |
