LYNM230型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
LYNM230型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5、LCC-18);金屬封裝(A3-02B、B2-01C).

開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:IRFN230、IRFE230、IRFF230、IRF230.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式

SMD-0.5

LCC-18

A3-02B

B2-01C

單位

額定功率PD

50

25

25

75
W
漏源擊穿電壓BVDSS
200
200200
200
V
導(dǎo)通電阻RDS
0.6
0.40.4
0.4
Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
8
5.55.5
9
A
漏極電流IDM2(TC=100℃)5
3.53.5
6
A
熱阻Rthjc
5551.67℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

   RDS(ON)

VGS=10V,ID=IDM2

-

0.25

0.6(1)

Ω

0.4(2)(3)
漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=1mA
200
220
-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=0.25mA2
3.6
4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-
5
25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=20V

-

10

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-20V

-

-10

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
600(1)(2)-
pF
740(3)
注:(1)SMD-0.5、TO-257;(2)B2-01C、A3-02B型封裝 (2)LCC-18型封裝.
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熱線電話
029-85251919