LYNM20120型大功率N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
LYNM20120型大功率N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
市場(chǎng)價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫(kù)存量:
11
購(gòu)買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):Q/RBJ21067

封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1);

開(kāi)關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國(guó)外型號(hào):IRF5Y3315CM.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過(guò)260℃,焊接時(shí)間不超過(guò)10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式

TO-254

SMD-1

單位

額定功率PD

60

60

W
漏源擊穿電壓BVDSS
120
120
V
導(dǎo)通電阻RDS
0.08
0.08
Ω
漏極電流IDM(TC=25℃)
20
20
A
熱阻Rthjc
2.12.1℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號(hào)

測(cè)試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

   RDS(ON)

VGS=10V,ID=6A

-

-

0.08

Ω

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=0.25mA
120

-

-
V
開(kāi)啟電壓
VGS(th)
ID=0.25mA2

-

4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8VDSM,VGS=0V-
-
1
mA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=20V

-

-

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-20V

-

-

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
1800
-
pF


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熱線電話
029-85251919