LYNM320型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
LYNM320型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標準:QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5、LCC-18);金屬封裝(A3-02B、B2-01C).

開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:IRFE320、IRFF320、IRF320.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式

SMD-0.5

LCC-18

A3-02B

B2-01C

TO-257

單位

額定功率PD

14

14

20

50

20

W
漏源擊穿電壓BVDSS
400
400
400
400
400
V
導(dǎo)通電阻RDS
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
1.8
1.8
2
3.3
2
A
漏極電流IDM2(TC=100℃)1.13
1.13
1.25
2.1
1.25
A
熱阻Rthjc
8.938.936.252.56.25℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

   RDS(ON)

VGS=10V,ID=IDM2

-
-

1.8

Ω

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=1mA
400
-
-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=0.25mA2
-
4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-
-
25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=20V

-

-

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-20V

-

-

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
350(1)-
pF
450(2)
注:(1)SMD-0.5TO-257、LCC-18、A3-02B型封裝 (2)B2-01C型封裝.


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