LYNM330型大功率N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
LYNM330型大功率N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
市場(chǎng)價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫(kù)存量:
11
購(gòu)買(mǎi)數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5、LCC-18);金屬封裝(A3-02B、B2-01C).

開(kāi)關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國(guó)外型號(hào):IRFE330、IRFF330、IRF330.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過(guò)260℃,焊接時(shí)間不超過(guò)10秒。


參數(shù)名稱(chēng)|封裝形式

SMD-0.5

LCC-18

A3-02B

B2-01CTO-257

單位

額定功率PD

25

25

25

75

25

W
漏源擊穿電壓BVDSS
400
400
400
400
400
V
導(dǎo)通電阻RDS
1
1
1
1
1
Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
3
3
3
5.5
3
A
漏極電流IDM2(TC=100℃)2
2
2
3.5
2
A
熱阻Rthjc
5551.675℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱(chēng)符號(hào)

測(cè)試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

   RDS(ON)

VGS=10V,ID=IDM2

-

-

1

Ω

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=1mA
400
--
V
開(kāi)啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=0.25mA2
-4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-
-
25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=20V

-

-

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-20V

-

-

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
660(1)-
pF
620(2)
注:(1)SMD-0.5、LCC-18型封裝;(2)B2-01C、A3-02B、TO-257型封裝 .
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熱線(xiàn)電話(huà)
029-85251919