LYNM350型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
LYNM350型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1);金屬封裝(B2-01C).

開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:IRFM350、IRFN350、IRF350.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式

TO-254

SMD-1

B2-01C

單位

額定功率PD

150

150

150

W
漏源擊穿電壓BVDSS
400
400
400
V
導(dǎo)通電阻RDS
0.315
0.315
0.3
Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
14
14
14
A
漏極電流IDM2(TC=100℃)9
9
9
A
熱阻Rthjc
0.830.830.83℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

   RDS(ON)

VGS=10V,ID=IDM2

-

-

0.315(1)(2)

Ω

0.3(3)
漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=1mA
400
-
-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=0.25mA2

-

4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-

-

25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=20V

-

-

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-20V

-

-

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
1300(1)-
pF
2600(2)(3)
注:(1)TO-254型封裝 (2)SMD-1型封裝(3)B2-01C型封裝.


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