特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-254、TO-258);金屬陶瓷封裝(SMD-1);金屬圓帽封裝(B2-01C)
開關(guān)速度快、損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬，溫度穩(wěn)定性好。
替代國(guó)外型號(hào)：IRFM360、IRFV360、IRFN360、IRF360.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃;工作溫度Tamb：-55℃~125℃;焊接溫度不超過(guò)260℃，焊接時(shí)間不超過(guò)10秒。
| 參數(shù)名稱|封裝形式 | TO-254 | TO-258 | SMD-1 | B2-01C | 單位 |
額定功率PD
| 250 | 300 | 120 | 300
| W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| 400
| 400 | 400 | 400 | V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.2
| 0.2 | 0.2 | 0.2 | Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| 23
| 25 | 20 | 25
| A
|
| 漏極電流IDM2(TC=100℃) | 14
| 16 | 16 | 16
| A
|
熱阻Rthjc
| 0.5 | 0.42 | 0.42 | 0.42
| ℃/W |
主要電特性
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2
| -
| -
| 0.2 | Ω |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=1mA
| 400
| -
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=0.25mA | 2
| -
| 4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=0.8BVDSS,VGS=0V | -
| -
| 25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=20V | -
| -
| 100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=-20V | -
| -
| -100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 4200 | -
| pF
|
