LYNM3205型大功率N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
LYNM3205型大功率N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
市場(chǎng)價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫(kù)存量:
11
購(gòu)買(mǎi)數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-254、TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-1).

開(kāi)關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國(guó)外型號(hào):IRF5Y3205CM、IRF5M3205、IRF5N3205.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過(guò)260℃,焊接時(shí)間不超過(guò)10秒。


參數(shù)名稱(chēng)|封裝形式

TO-254

TO-257

SMD-1

單位

額定功率PD

125

100

125

W
漏源擊穿電壓BVDSS
55
5555V
導(dǎo)通電阻RDS
0.015
0.0220.008Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
35
1855A
漏極電流IDM2(TC=100℃)35
1855A
熱阻Rthjc
11.251℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱(chēng)符號(hào)

測(cè)試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

   RDS(ON)

VGS=10V,ID=IDM2

-

0.007

0.022(1)

Ω

0.015(2)
0.008(3)
漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=0.25mA
55
60
-
V
開(kāi)啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=0.25mA2
3.2
4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=BVDSS,VGS=0V-
5
25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=20V

-

10

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-20V

-

-10

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
3600-
pF
注:(1)TO-257型封裝;(2)TO-254型封裝 ;(3)SMD-1型封裝.
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熱線(xiàn)電話(huà)
029-85251919